半导体激光二极管的发展趋势

自1962年发明了 上 台半导体激光器以来，半导体激光器发生了巨大的变化，极大地推动了其他科学技术的发展。

　　近年来用于信息技术领域的小功率半导体激光器发展极快。如用于光纤通信的DFB和动态单模的激光二极管以及在光盘处理中大量应用的可见光波长的激光二极管，甚至是超短脉冲的激光二极管都得到了大幅度的革新性进步。

　　小功率激光二极管其自身还拥有这高集成、高速率以及可调谐的发展特征。大型高功率半导体激光器的发展速度也不断加快。

　　在上世纪八十年代，独立的激光二极管的输出功率已经在100mW以上，并达到了39%的转化效率。等到了90年代，美国人又一次将指标提高一个新的水平，达到了45%的转化效率，就输出功率来看，也从W到了KW级的转变。

　　目前各国在研制项目的支持下，半导体激光器的芯片结构、外延生长和器件封装等激光器技术均有了长足发展，单元器件的性能也实现了重大突破：电光转换效率达70%以上，很低的光束发散角，单巴条连续输出功率超过千瓦，采用碳纳米(CN)热沉使激光器的冷却效率比传统的半导体巴条安装技术可提高30%。100μm条宽单管输出功率达到24.6W，大功率连续工作寿命长达数万小时。

　　高效能大功率的半导体激光器也迅速发展为全固化激光器，从而使得LDP固体激光器获得了全新的发展机遇和前景。

　　半导体激光器具有体积小、重量轻、寿命长、运转可靠性高、能耗低、电光转换效率高、易于大规模生产以及价格较低廉等优点，在CD激光唱片机、光纤通信、光存储器、激光打印机等获得广泛应用，范围覆盖了整个光电子学领域。

　　随着技术的不断发展和突破，半导体激光器正向发射波长更短、发射功率更大、超小型、长寿命的方向发展，以满足各种应用的需要，产品种类日益丰富。在激光加工、3D打印、激光雷达、激光测距、军事、医疗和生命科学等方面也得到了大量应用。另外，通过耦合进光纤进行传输，大功率直接半导体激光器在切割和焊接领域得到了广泛应用。